[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 200610073781.2 | 申请日： | 2000-04-12 |
| 公开（公告）号： | CN1870293A | 公开（公告）日： | 2006-11-29 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平;小山润;高山彻;浜谷敏次 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/43 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 王忠忠 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明主要提供可用于大尺寸屏幕的有源矩阵显示器件的栅电极和栅极布线，其中为了实现本目的，本发明的构成是一种半导体器件，在同一衬底上具有设置在显示区的象素TFT和围绕显示区设置的驱动电路TFT，其中象素TFT和驱动电路TFT的栅电极由第一导体层形成，栅电极通过连接器与第二导体层形成的栅极布线电接触，连接器设置在象素TFT和驱动电路TFT的沟道形成区之外。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：在衬底上的半导体层；与所述半导体层接触的栅绝缘膜；与所述栅绝缘膜接触的栅电极；以及与所述栅电极接触的氧化硅膜，其中所述栅电极含有氮和选自Ta、W、Ti和Mo中的至少一种元素。
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