[发明专利]一种平行束注入角度测量方法有效
| 申请号： | 200610072964.2 | 申请日： | 2006-04-07 |
| 公开（公告）号： | CN1862766A | 公开（公告）日： | 2006-11-15 |
| 发明（设计）人： | 罗宏洋;孙勇;谢均宇;唐景庭 | 申请（专利权）人： | 北京中科信电子装备有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/265;H01L21/66;C23C14/48;H01J37/317 |
| 代理公司： | 北京中海智圣知识产权代理有限公司 | 代理人： | 曾永珠 |
| 地址： | 100036北京市海淀区复兴路*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种平行束注入角度测量方法，使用了移动法拉第、测束法拉第，测量步骤为：(1)通过移动法拉第遮挡离子束，使测束法拉第形成相应的电流曲线图；(2)根据公式计算出平行束注入角度θ≈arctg((X1’+X2’)/2－X0)/(H－h/2)，其中X1’、X2’为测束杯电流峰值50％两点位置，X0为测束杯中点的位置，移动法拉第高度为h，移动法拉第与测束法拉第之间的距离为H。本发明方法简单、实用，易于操作，且测量准确。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 平行 注入 角度 测量方法 | ||
【主权项】：
1.一种平行束注入角度测量方法，使用了移动法拉第、测束法拉第，测量步骤为：(1)通过移动法拉第遮挡离子束，使测束法拉第形成电流曲线图；(2)根据公式计算出平行束注入角度θ≈arctg((X1’+X2’)/2-X0)/(H-h/2)，其中X1’、X2’为测束杯电流峰值50％两点位置，X0为测束杯中点的位置，移动法拉第高度为h，移动法拉第入口与测束法拉第入口之间的距离为H。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
