[发明专利]一种半导体器件芯片穿通隔离区及PN结的制造工艺无效
| 申请号： | 200610068443.X | 申请日： | 2006-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN1913130A | 公开（公告）日： | 2007-02-14 |
| 发明（设计）人： | 汤庆敏 | 申请（专利权）人： | 汤庆敏 |
| 主分类号： | H01L21/822 | 分类号： | H01L21/822 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 250101山东省济南市高新技术*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体器件芯片穿通隔离区及PN结的制造工艺，是在芯片穿通隔离区扩散前，首先在所要做PN结穿通隔离扩散的区域内，用光刻和化学腐蚀的方法两面对称的腐蚀出腐蚀槽，然后穿通隔离区再和基区同步完成杂质扩散，以完成穿通隔离并形成基区PN结。本发明的工艺降低了扩散温度和减少了扩散时间，所以由于降低了由于高温、长时间过程中所产生的各种缺陷对产品制造的影响，更是由于穿通区和基区可以同时在一次扩散中形成，不但可以使得工艺过程变得简单，而且减少了光刻所造成的各种缺陷对产品的制造过程的影响，所以产品合格率有较大提高，而且是相对稳定的。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 芯片 隔离 pn 制造 工艺 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件芯片穿通隔离区及PN结的制造工艺，其特征是：在芯片穿通隔离区扩散前，首先在所要做PN结穿通隔离扩散的区域内，用光刻和化学腐蚀的方法两面对称的腐蚀出腐蚀槽，然后穿通隔离区再和基区同步完成杂质扩散，以完成穿通隔离并形成基区PN结。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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