[发明专利]薄膜电晶体的制造方法

摘要

本发明是有关于一种薄膜电晶体的制造方法，是在形成一源极结构、一汲极结构、一通道结构后，不去除一第一光阻层，而直接于该第一光阻层上形成一第二光阻层，并藉以形成一半导体结构，并且，采用n型掺杂的非晶硅、多晶硅层或有机金属化合物取代金属作为该源极结构及该汲极结构的材料，以减少薄膜电晶体的制程步骤，因此可有效的提升阵列制程的制造良率，并进而降低液晶显示器的制造成本。

主权项

1、一种薄膜电晶体的制造方法，其特征在于其包括下列步骤：提供一基板，该基板之上具有一闸极结构，且该闸极结构与该基板之上具有一第一绝缘层；形成一半导体层及一欧姆接触层于该第一绝缘层之上；形成一第一光阻层于该欧姆接触层之上；蚀刻该半导体层及该欧姆接触层，使该欧姆接触层形成一源极结构及一汲极结构，并使该半导体层形成一通道结构；形成一第二光阻层于该第一光阻层及该半导体层之上；蚀刻该半导体层，使该半导体层形成一半导体结构；以及去除该第一光阻层及该第二光阻层。