[发明专利]多组件陶瓷坩埚及其制造方法有效
| 申请号： | 200610064728.6 | 申请日： | 2006-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN101092735A | 公开（公告）日： | 2007-12-26 |
| 发明（设计）人： | Y·莫里卡瓦;K·卡瓦萨基;S..－J.黄;M·谢普肯斯 | 申请（专利权）人： | 通用电气公司 |
| 主分类号： | C30B15/10 | 分类号： | C30B15/10;C30B23/06;C23C14/24;C23C16/00;F27B14/10 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 杨松龄 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种元素提纯、化合及半导体晶体生长例如为在高温下熔化硅等的分子束外延(MBE)工艺中使用的单一体多组件坩埚。该坩埚具有固定连接构成坩埚的多个组件的外涂层。本发明还提供了一种制造包括具有负拉伸结构的含热解氮化硼的单一体的方法，该方法不需要石墨型芯复杂的突出结构或通过在高温下烧结而除去石墨型芯。 | ||
| 搜索关键词： | 组件 陶瓷 坩埚 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种用于制造半导体材料晶体的坩埚，该坩埚包括：一封闭端，一开口端，一自开口端沿伸至封闭端的长度；自开口端沿伸至封闭端长度间的圆周；内表面和外表面；其中该坩埚包括至少两个构件，底部构件和顶部构件，在圆周上连在一起形成接头；该坩埚在至少内表面的一部分或外表面的一部分具有涂层，用于通过密封接头固定连接构件。
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