[发明专利]动态随机存储器及其存取方法有效
| 申请号： | 200610061095.3 | 申请日： | 2006-06-09 |
| 公开（公告）号： | CN101086896A | 公开（公告）日： | 2007-12-12 |
| 发明（设计）人： | 颜硕廷 | 申请（专利权）人： | 群康科技（深圳）有限公司;群创光电股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/401 | 分类号： | G11C11/401 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518109广东省深圳市宝*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种动态随机存储器，其包括一第一薄膜晶体管、一第二薄膜晶体管和一比较器。该第一薄膜晶体管包括一第一栅极、一第一源极和一第一漏极。该第二薄膜晶体管包括一第二栅极、一第二源极和一第二漏极。该第二源极与该第一源极相连接。该第一漏极是待存电压的写入端。该比较器与该第二漏极相连接，其内设定有一参考电流，用来与流过该第二漏极的电流相比较，以定义从该比较器读取的电流的状态。 | ||
| 搜索关键词： | 动态 随机 存储器 及其 存取 方法 | ||
【主权项】：
1.一种动态随机存储器，其包括一第一薄膜晶体管和一比较器，该第一薄膜晶体管包括一第一栅极、一第一源极和一第一漏极，该第一漏极是待存电压的写入端，该比较器内设定有一参考电流，其特征在于：该动态随机存储器进一步包括一第二薄膜晶体管，该第二薄膜晶体管包括一第二栅极、一第二源极和一第二漏极，该第二源极与该第一源极相连接，该比较器与该第二漏极相连接，使该比较器内之参考电流与流过该第二漏极的电流相比较，以定义从该比较器读取的电流的状态。
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