[发明专利]半穿半反式液晶显示器制造方法

摘要

本发明涉及一种半穿半反式液晶显示器制造方法，其包括以下步骤：提供具有一薄膜晶体管区、一穿透区与一反射区的基板；在基板上沉积一第一金属层，其由不同蚀刻率的多层金属层层叠而成，并按蚀刻率自下而上依次增大的顺序排列；经一道光罩曝光显影后，蚀刻该第一金属层，在薄膜晶体管区形成栅极，在反射区形成多个截面宽度自下而上逐层递减的台型凸起；沉积一栅极绝缘层、一半导体材料层与一第二金属层；用两道光罩蚀刻工艺形成源极与漏极；沉积一像素电极材料层，用一道光罩蚀刻形成像素电极，并在凸起处形成反射电极，在穿透区形成穿透电极。该半穿半反式液晶显示器具有反射率高的特点。

主权项

1.一种半穿半反式液晶显示器制造方法，其包括以下步骤：步骤一，提供一透明绝缘基板，其具有一薄膜晶体管区、一穿透区与一反射区；步骤二，沉积一第一金属层与一第一光阻层在该透明绝缘基板表面，该第一金属层是由具有不同蚀刻率的多层金属层层叠设置而成，且各金属层按蚀刻率自下而上依次增大的沉积顺序进行排列；步骤三，利用一第一光罩对该第一光阻层进行曝光，并显影该第一光阻层，然后蚀刻该第一金属层，从而在该薄膜晶体管区形成一栅极，在该反射区形成多个截面宽度自下而上逐层递减的台型凸起；步骤四，沉积一栅极绝缘层在该形成有该栅极与凸起的透明绝缘基板上；步骤五，沉积一半导体材料层与一第二光阻层在该栅极绝缘层上，并利用一第二光罩对该第二光阻层进行曝光，并显影该第二光阻层，然后蚀刻该半导体材料层从而形成一半导体层；步骤六，沉积一第二金属层与一第三光阻层在具有该半导体层与栅极绝缘层的透明绝缘基板上，利用一第三光罩对该第三光阻层进行曝光，并显影该第三光阻层，然后蚀刻该第二金属层，从而形成一源极及一漏极；步骤七，沉积一钝化层与一第四光阻层在该具有源极、漏极与半导体层的透明绝缘基板上，利用一第四光罩对该第四光阻层进行曝光，并显影该第四光阻层，然后蚀刻该钝化层，从而形成一连接孔，在该连接孔处暴露出该漏极；步骤八，沉积一像素电极材料层与一第五光阻层在该钝化层表面，利用一第五光罩曝光该第五光阻层，并显影该第五光阻层，然后蚀刻该像素电极材料层，从而形成一像素电极，并在暴露出该像素电极的穿透区形成一穿透电极，在暴露出该像素电极的反射区形成一反射电极。