[发明专利]精密垂直温差梯度冷凝单晶体生长装置及方法无效
| 申请号： | 200610060337.7 | 申请日： | 2006-04-21 |
| 公开（公告）号： | CN1865527A | 公开（公告）日： | 2006-11-22 |
| 发明（设计）人： | 罗建国 | 申请（专利权）人： | 罗建国 |
| 主分类号： | C30B11/00 | 分类号： | C30B11/00;C30B29/40;C30B29/48 |
| 代理公司： | 深圳市雄杰专利商标代理有限公司 | 代理人： | 王雄杰 |
| 地址： | 518172广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种精密垂直温差梯度冷凝单晶体生长装置及方法，本发明中，其加热装置的加热元件沿坩埚的外部形状均匀分布，从坩埚锥形转换点开始，加热元件贴近并沿着坩埚的锥体均匀分布，直到覆盖放置晶种的坩埚嘴部位，并使测温热电偶通过加热元件与石英容器壁直接接触。使用本精密垂直温差梯度冷凝单晶体生长装置，温度梯度幅度更小，温度测量精密更高，可以精密控制垂直温差梯度冷凝单晶体生长，最大限度避免晶体可能的缺陷的发生，单晶体缺陷密度较普通垂直温差梯度冷凝炉低50％以上，提高了晶体质量及产率。本发明适用于III－V或II－IV化合物半导体材料，比如砷化镓、磷化铟、砷化铟、磷化镓、锑化铟、硒化镉、碲化锌等等，及锗和硅等单晶体的生长。 | ||
| 搜索关键词： | 精密 垂直 温差 梯度 冷凝 单晶体 生长 装置 方法 | ||
【主权项】：
1.一种精密垂直温差梯度冷凝单晶体生长的装置，包括晶体生长坩埚、封装坩埚的石英容器、密封石英帽、加热装置，其特征是：所述加热装置的加热元件沿坩埚的外部形状均匀分布，从坩埚锥形转换点开始，所述加热元件贴近并沿着坩埚的锥体均匀分布，直到覆盖放置种晶的坩埚嘴部位。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于罗建国，未经罗建国许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200610060337.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种宽频带对称振子天线
- 下一篇：一种便器
