[发明专利]用于制造独立式纳米结构的方法和系统

摘要

系统和方法包括将半导体晶片引入处理室。将蚀刻化学成分注入到处理室以蚀刻图案化层和释放半导体晶片上的独立式纳米结构。蚀刻化学成分包括超临界或液态二氧化碳流体和蚀刻溶液。通过将超临界或液态二氧化碳流体涌入处理室来清洗半导体晶片。通过从处理室排出超临界或液态二氧化碳流体来干燥半导体晶片。

主权项

1.一种制造独立式纳米结构的方法，包括：提供包含衬底和衬底上方的图案化层的半导体晶片，该图案化层包括从图案化层的上表面延伸到衬底的上表面的多个开口和布置在开口内的结构元件；提供一个处理室，该处理室被配置成容纳半导体晶片；将该半导体晶片引入处理室；将蚀刻化学成分注入处理室以蚀刻图案化层并释放结构元件作为半导体晶片上的独立式纳米结构，该蚀刻化学成分包括二氧化碳流体和蚀刻溶液；通过将二氧化碳流体流进处理室来清洗半导体晶片；以及通过将超临界二氧化碳流体注入处理室和通过从处理室排出超临界二氧化碳流体来干燥半导体晶片。