[发明专利]三栅极器件及其加工方法

摘要

本发明公开了一种半导体器件，包括形成在衬底上的半导体主体，其具有顶表面和横向相对的侧壁。在半导体主体的顶表面上以及半导体主体的横向相对的侧壁上形成栅极电介质层。在半导体主体的顶表面上的栅极电介质上，并与半导体主体的横向相对的侧壁上的栅极电介质相邻形成栅极电极。

主权项

1.一种形成晶体管的方法，包括：在衬底上形成半导体主体，所述半导体主体具有顶表面和横向相对的侧壁；在所述半导体主体的所述顶表面上以及所述半导体主体的所述横向相对的侧壁上形成栅极电介质；在所述半导体主体的所述顶表面上的所述栅极电介质上，并与所述半导体主体的所述横向相对的侧壁上的所述栅极电介质相邻形成栅极电极；在所述栅极电极的所述横向相对的侧壁的相对侧面上、但不在所述半导体主体的所述横向相对的侧壁上形成一对侧壁隔离层；在所述半导体主体的所述顶表面上和所述横向相对的侧壁上，并与所述侧壁隔离层相邻形成半导体膜；以及在所述半导体主体中，在所述栅极电极的相对侧面上形成一对源极区和漏极区。