[发明专利]晶圆级封装的凸块制造方法无效
申请号: | 200610055028.0 | 申请日: | 2006-02-24 |
公开(公告)号: | CN101026107A | 公开(公告)日: | 2007-08-29 |
发明(设计)人: | 蔡骐隆 | 申请(专利权)人: | 日月光半导体制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60;H01L21/28 |
代理公司: | 上海东亚专利商标代理有限公司 | 代理人: | 罗习群 |
地址: | 中国台湾高雄*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明提供一种晶圆级封装的凸块制造方法,其包括如下步骤:提供晶圆,晶圆上具有多个焊垫和露出焊垫的保护层,其中焊垫之间的保护层可包含切割道以供封装制程完成后分割芯片使用;在晶圆上形成导电层,该导电层与焊垫电性连接并填入切割道;在导电层上形成光阻层:图案化光阻层以在焊垫上方形成露出导电层的开口,并于焊垫以外的区域形成未露出导电层的开口;以及在焊垫上方的开口中形成凸块以连接导电层。因为在焊垫以外的区域形成未全开的开口,使得后续两侧开口填充焊料形成凸块时所产生的应力拥有了舒解的空间,故可避免晶圆受力挠曲甚而破损,因此可达到提高芯片封装制程的可靠性进而提高良率的功效。 | ||
搜索关键词: | 晶圆级 封装 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种晶圆级封装的凸块制造方法,包括:提供一晶圆,于该晶圆上形成若干条切割道及一保护层,于该些切割道之间定义出若干个区域,每一区域包含若干焊垫,而该保护层配置于每一区域上,露出所述若干个焊垫;在晶圆上形成一导电层,该导电层与该些焊垫电性连接并填入该些切割道;以及在导电层上形成一光阻层;其特征在于:该方法在形成光阻层之后还包括:图案化该光阻层,于该些焊垫上方形成若干个露出导电层的开口,并于焊垫以外的区域形成至少一未露出导电层的开口;以及在所述若干焊垫的上方开口处形成若干个凸块以连接导电层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造