[发明专利]压容式传感器基片成腔方法无效
| 申请号： | 200610052619.2 | 申请日： | 2006-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN101114591A | 公开（公告）日： | 2008-01-30 |
| 发明（设计）人： | 赵玉成;陈旭远 | 申请（专利权）人： | 杭州科岛微电子有限公司;厦门大学 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;B81C1/00;G01L9/12;G01L1/14 |
| 代理公司： | 浙江杭州金通专利事务所有限公司 | 代理人： | 梁寅春 |
| 地址： | 310021浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 精度高、费用省、操作简便、质量稳定的压容式传感器基片成腔方法，加工步骤为：①在选取的硅片一面经氧化形成二氧化硅层；②在二氧化硅层上面涂覆光刻胶层，经曝光、显影，形成微结构凹腔Ⅰ其底面物质为二氧化硅；③以光刻胶层为掩膜，用ICP等离子刻蚀技术在所述微结构凹腔Ⅰ内刻蚀二氧化硅层，形成微结构凹腔Ⅱ其底面物质为硅；④去除所述光刻胶层；⑤再次涂覆光刻胶层，经曝光、显影，形成与所述微结构凹腔Ⅱ对应的微结凹腔Ⅲ；⑥以光刻胶层为掩膜，用等离子刻蚀技术在所述微结构凹腔Ⅲ内刻蚀硅片至一深度；⑦去除光刻胶层，得到具有微结构凹腔Ⅳ的基片。本发明适合制作压器式传感器基片。 | ||
| 搜索关键词： | 压容式 传感器 基片成腔 方法 | ||
【主权项】：
1.压容式传感器基片成腔方法，其特征是：①在选取的硅片(1)一面经氧化形成二氧化硅层(2)；②在二氧化硅层(2)上面涂覆光刻胶层(3a)，经曝光、显影，形成微结构凹腔I(4a)其底面物质为二氧化硅；③以光刻胶层(3a)为掩膜，用ICP等离子刻蚀技术在所述微结构凹腔I内刻蚀二氧化硅层，形成微结构凹腔II(4b)其底面物质为硅；④去除所述光刻胶层；⑤再次涂覆光刻胶层(3b)，经曝光、显影，形成与所述微结构凹腔II对应的微结凹腔III(4c)；⑥以光刻胶层(3b)为掩膜，用等离子刻蚀技术在所述微结构凹腔III内刻蚀硅片(1)至一深度；⑦去除光刻胶层(3b)，得到具有微结构凹腔IV(4d)的基片。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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