[发明专利]一种氮化硅多孔陶瓷及其制备方法无效
| 申请号： | 200610041867.7 | 申请日： | 2006-03-02 |
| 公开（公告）号： | CN1821168A | 公开（公告）日： | 2006-08-23 |
| 发明（设计）人： | 杨建锋;高积强;金志浩;乔冠军;王红洁;陕绍云 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | C04B35/14 | 分类号： | C04B35/14;C04B35/52;C04B38/00;C04B35/622 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 | 代理人： | 刘国智 |
| 地址： | 710049*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种氮化硅多孔陶瓷及其制备方法，按重量百分比，将下述组分：碳、二氧化硅粉末75～95％，氮化硅1～10％，烧结助剂2～20％混合；其中碳与二氧化硅的重量比为0.4～0.6；烧结助剂包括金属氧化物Y2O3、Al2O3、MgO的至少一种；将上述初始粉末用分散剂球磨干燥后过筛，得到混合粉末；将混合粉末填入模具中，采用压力成型工艺得到成形体；把上述成形体放入气氛炉中，在氮气下以600度/小时的升温速度加热到1500度，进一步以180度/小时的升温速度加热到1700－1800度，在氮气压力为6－10个大气压下保温2～8小时，即获得烧结体。本发明的氮化硅多孔陶瓷可广泛应用于高温气氛及腐蚀性气氛下的气体分离用过滤器的基体材料，发电用燃气轮机、发动机、航天飞机等使用的耐热材料及强化材料等。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氮化 多孔 陶瓷 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种氮化硅多孔陶瓷，其特征是，按重量百分比，包括下述组分：碳、二氧化硅粉末75～95％，氮化硅1～10％，烧结助剂2～20％；其中碳与二氧化硅的重量比为0.4～0.6；所述的烧结助剂为金属氧化物M2O3或MO。
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