[发明专利]直接在含锌合金材料上生长ZnO一维纳米材料的方法无效
申请号: | 200610040324.3 | 申请日: | 2006-05-15 |
公开(公告)号: | CN1868892A | 公开(公告)日: | 2006-11-29 |
发明(设计)人: | 霍开富;胡征;胡业旻;马延文;陈懿 | 申请(专利权)人: | 南京大学 |
主分类号: | C01G9/02 | 分类号: | C01G9/02;B82B3/00 |
代理公司: | 南京天翼专利代理有限责任公司 | 代理人: | 汤志武;王鹏翔 |
地址: | 210093*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 直接在含锌合金材料上生长ZnO一维纳米材料的方法,以含锌5~80%的铜锌合金片为基底并提供锌源,在较低的温度下进行氧化处理,通过控制铜锌合金材料中的5-80%重量比的含锌量,氧化处理时混合气体中的氧偏压及反应温度,直接在含锌合金材料表面生长出不同形貌的氧化锌一维纳米材料,包括纳米线、纳米带、纳米片、纳米梳以及定向的纳米线和纳米带阵列;氧化处理温度为600-1000℃,时间为20-300min;氧化处理的反应混合气为Ar/O2、Ar/H2O、N2/O2或N2/H2O的混合气,其中O2或气态的H2O含量为2~20%体积比,气态的H2O是以Ar或N2载气,通过鼓泡法带到反应腔的。 | ||
搜索关键词: | 直接 含锌 合金材料 生长 zno 纳米 材料 方法 | ||
【主权项】:
1.一种直接在含锌合金材料上生长ZnO一维纳米材料的方法,其特征在于以含锌5~80%的铜锌合金片为基底并提供锌源,在较低的温度下进行氧化处理,在常压下或在真空条件下,通过控制铜锌合金材料中的5-80%重量比的含锌量,氧化处理时混合气体中的氧偏压及反应温度,直接在含锌合金材料表面生长出不同形貌的氧化锌一维纳米材料,包括纳米线、纳米带、纳米片、纳米梳以及定向的纳米线和纳米带阵列;氧化处理温度为600-1000℃,时间为20-300min;氧化处理的反应混合气为Ar/O2、Ar/H2O、N2/O2或N2/H2O的混合气,其中O2或气态的H2O含量为2~20%体积比,气态的H2O是以Ar或N2载气,通过鼓泡法带到反应腔的。
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