[发明专利]制备高度有序的铂纳米孔阵列电极的方法无效
| 申请号： | 200610039071.8 | 申请日： | 2006-03-21 |
| 公开（公告）号： | CN1825104A | 公开（公告）日： | 2006-08-30 |
| 发明（设计）人： | 王赪胤;邵晓秋;刘清秀;冒银道;薛怀国;胡效亚 | 申请（专利权）人： | 扬州大学 |
| 主分类号： | G01N27/30 | 分类号： | G01N27/30 |
| 代理公司： | 扬州苏中专利事务所 | 代理人： | 胡定华 |
| 地址： | 225009*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种制备高度有序的铂纳米孔阵列电极的方法，其特征是先将铂电极表面用超细Al2O3悬浮液在丝绸上抛光，再在二次蒸馏水中超声清洗2－5分钟后，用高纯氮气吹干，然后将浓度0.001－0.01g·mL－1的PS－b－PAA/THF溶液旋转涂覆在铂电极表面，在5－30℃的室温下，保持湿度为50－95％，待THF完全挥发后，电极表面形成微米级厚度的高度有序多孔膜，即制得高度有序的铂纳米孔阵列电极。本发明的制备方法简单、科学，不需要使用光刻、模板、降解和真空干燥、高强电场等手段，制得的阵列电极孔径均一、排布有序、均匀，且电极表现良好的超微电极性能。可用于制备新型超微阵列化学传感器、生物传感器，有很好的推广应用价值和市场前景。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 高度 有序 纳米 阵列 电极 方法 | ||
【主权项】：
1、一种制备高度有序的铂纳米孔阵列电极的方法，其特征是先将铂电极表面用超细Al2O3悬浮液在丝绸上抛光，再在二次蒸馏水中超声清洗2-5分钟后，用高纯氮气吹干，然后用浓度0.001-0.01g·mL-1的PS-b-PAA/THF溶液旋转涂覆在铂电极表面，在5-30℃的室温下，保持湿度为50-95％，待THF完全挥发后，电极表面形成微米级厚度的高度有序多孔膜，即制得高度有序的铂纳米孔阵列电极。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于扬州大学，未经扬州大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200610039071.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
