[发明专利]纳米孔型聚甲基硅氧烷低介电常数材料及其制备方法和应用无效
| 申请号： | 200610036626.3 | 申请日： | 2006-07-21 |
| 公开（公告）号： | CN1909116A | 公开（公告）日： | 2007-02-07 |
| 发明（设计）人： | 陈宏基 | 申请（专利权）人： | 暨南大学 |
| 主分类号： | H01B3/46 | 分类号： | H01B3/46;C08L83/04;C08J5/18;H01L21/312;H01L21/768;B82B1/00;B82B3/00 |
| 代理公司： | 广州粤高专利代理有限公司 | 代理人： | 何淑珍 |
| 地址： | 510632广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种纳米孔型聚甲基硅氧烷低介电常数材料，是以网络状硅氧四面体为主体、厚度为500～1500nm、含有硅片层和聚甲基硅氧烷薄膜层，所述薄膜层中含有孔洞，孔径为8～12nm，空隙率为12～30％，介电常数为2.5～2.1；本发明还涉及所述低介电常数材料的制备方法；所述材料适用单层、双层或者多层芯片金属互连线路间的绝缘材料。可降低多层芯片铜走线互连导线中的电阻和互连层间的电容；材料的机械性能和加工性能优于传统的CVD二氧化硅，可耐受化学机械抛光。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 孔型 甲基 硅氧烷低 介电常数 材料 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
1.一种纳米孔型聚甲基硅氧烷低介电常数材料，其特征在于以网络状硅氧四面体为主体、厚度为500～1500nm、含有硅片层和聚甲基硅氧烷薄膜层，所述薄膜层中含有孔洞，孔径为8～12nm，空隙率为12～30％，介电常数为2.5～2.1。
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