[发明专利]制作541纳米窄带通光电探测器的方法

摘要

本发明公开了一种制作541纳米窄带通光电探测器的方法，包括以下步骤：将N型硅片外延片衬底送入氧化炉生长氧化层；注入硼离子；将硅片送入LPCVD炉中生长Si₃N₄层；光刻P区引线孔和压焊点窗口；蒸铝；铝反刻；合金；背面减薄蒸金；合金；划片；制作带ITO薄膜541纳米峰值波长窄带通滤光片：将带导电ITO薄膜滤光片与金属管帽欧姆接触、封装。按照本发明的方法制得的541纳米窄带通光电探测器具有光谱选择性优良、光电转换率高、暗电流极低、抗干扰能力强、环境适应性好的优点，而且工艺简单、材料容易获得，可以利用现有设备和技术批量化生产，完全能满足第五版人民币防伪检测推广使用的需要。

主权项

1、一种制作541纳米窄带通光电探测器的方法，包括第一步、制作硅光电二极管芯片步骤：(1)将N型硅片外延片衬底送入氧化炉生长氧化层；(2)光刻P区窗口，注入硼离子，退火；(3)将硅片送入LPCVD炉中生长Si3N4层；(4)光刻P区引线孔和压焊点窗口；(5)蒸铝；(6)铝反刻；(7)合金；(10)背面减薄蒸金；(11)合金；(12)划片；第二步、制作带ITO薄膜541纳米峰值波长窄带通滤光片步骤：(1)将光学玻璃裁成圆片，进行抛光、滚圆、清洗、烘干后用夹具夹好；(2)将夹具放置在工件中，在真空镀膜机中对圆片镀制541纳米波长窄带通光学膜系后，紧接着镀制导电ITO膜；第三步、带导电ITO薄膜滤光片与金属管帽欧姆接触制作步骤：(1)将低温银浆涂在顶部开口的金属管帽顶部边框内侧；(2)将滤光片放入金属管帽顶部边框中轻压，放入时应将带ITO薄膜面与金属管帽顶部边框接触；(3)送入恒温箱中加热，使带导电ITO薄膜滤光片与金属管座实现良好固化接触；第四步、封装步骤：(1)在与金属管帽配套的金属管座上涂低温银浆，安放硅光电二极管管芯，置于恒温箱中恒温加热，使硅光电二极管芯烧结在金属管座上；(2)将金丝压焊在管芯引线窗口的金属层和金属管座引线柱上；(3)在金属管帽内放置一橡胶圈；(4)用封帽机将金属管帽与管座进行封装。