[发明专利]一种集成电路中的片上天线结构及其制造方法无效
| 申请号： | 200610030856.9 | 申请日： | 2006-09-06 |
| 公开（公告）号： | CN1917285A | 公开（公告）日： | 2007-02-21 |
| 发明（设计）人： | 赵宇航 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01Q1/38 | 分类号： | H01Q1/38;H01Q1/40;H01Q7/00;H01L21/77 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人： | 王洁 |
| 地址： | 201203上海市张江高科*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种集成电路中的片上天线结构及其制造方法，在不改变外径大小的前提下，提出金属线圈宽度及金属线圈间间距同时渐变的螺旋结构的片上集成天线，以减小螺旋线圈的串联等效电阻，从而降低能量损耗。本发明的集成片上天线与传统的片上天线相比，高频时涡流效应和临近效应影响降低，导致串联等效电阻Rs下降，从而使其能量损耗更小；制备工艺与常规的CMOS工艺兼容。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 集成电路 中的 天线 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种集成电路中的片上天线结构，其特征在于：在制造完成集成电路芯片(2)后，在芯片表面依次淀积有第一绝缘材料层(3)和第二绝缘材料层(4)，在第二绝缘材料层(4)中制造片上天线(1)，此天线(1)通过芯片连接区域(10)与底部芯片实现联接，天线(1)的周围和底部被第二绝缘材料层(4)包围，天线(1)的顶部淀积有绝缘材料保护层(11)。
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