[发明专利]EEPROM外围电路中高压NMOS场晶体管的沟道结构及制作方法无效
| 申请号： | 200610029249.0 | 申请日： | 2006-07-21 |
| 公开（公告）号： | CN101110446A | 公开（公告）日： | 2008-01-23 |
| 发明（设计）人： | 钱文生 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L27/115;H01L21/336;H01L21/265;H01L21/8247 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人： | 顾继光 |
| 地址： | 201206上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种EEPROM外围电路中高压NMOS场晶体管的沟道结构，在所述沟道内注入硼离子。所述沟道结构的制作工艺方法是，在现有的工艺流程中，通过光刻打开沟道区域，在进行高压PMOS晶体管轻掺杂源/漏硼离子注入的同时，将硼离子注入沟道。本发明既能更有效地发挥场隔离效果，又可减少单元面积，提高芯片的集成度。 | ||
| 搜索关键词： | eeprom 外围 电路 高压 nmos 晶体管 沟道 结构 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种EEPROM外围电路中高压NMOS场晶体管的沟道结构，其特征在于，在所述沟道内注入硼离子。
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