[发明专利]用于形成局域金属硅化物的工艺方法无效
| 申请号： | 200610028853.1 | 申请日： | 2006-07-12 |
| 公开（公告）号： | CN101106087A | 公开（公告）日： | 2008-01-16 |
| 发明（设计）人： | 张斌;章宇翔;岩垂史 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3205 | 分类号： | H01L21/3205;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人： | 顾继光 |
| 地址： | 201206上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于形成局域金属硅化物的工艺方法，其包含如下步骤：在一半导体硅片表面采用传统的工艺方法形成浅沟槽隔离，多晶硅栅极，侧墙及源/漏极等结构后，淀积二氧化硅膜层，介质膜层，以及光刻胶涂覆；形成光刻胶图形以及干法刻蚀去除介质膜层；去胶；湿法腐蚀去除未经介质膜层保护的二氧化硅膜层；溅射金属层以及热处理；湿法去除残留金属和介质膜。由于新工艺回避了现有工艺中形成光刻胶图形后需将光刻胶与预先淀积的二氧化硅层进入酸槽进行湿法腐蚀的步序，从而有效避免了现有工艺下部分光刻胶尤其是深紫外及其以下光刻胶在酸槽中容易产生剥胶的现象，提高了转移光刻图形的精确性和可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 形成 局域 金属硅 工艺 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于形成局域金属硅化物的工艺方法，其特征在于，包含如下步骤：a.在一半导体硅片表面采用传统的工艺方法形成浅沟槽隔离，多晶硅栅极，侧墙及源/漏极等结构后，淀积二氧化硅膜层，介质膜层，以及光刻胶涂覆；b.形成光刻胶图形以及干法刻蚀去除介质膜层；c.去胶；d.湿法腐蚀去除未经介质膜层保护的二氧化硅膜层；e.溅射金属层以及热处理；f.湿法去除残留金属和介质膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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