[发明专利]改进浅沟槽隔离间隙填充工艺的方法有效
| 申请号： | 200610026323.3 | 申请日： | 2006-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN101064249A | 公开（公告）日： | 2007-10-31 |
| 发明（设计）人： | 汪钉崇 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306;H01L21/76;H01L27/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 徐谦;杨红梅 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 提供了一种形成用于浅沟槽隔离区域的分级沟槽的方法。该方法包括提供具有衬底区域的半导体衬底。该方法还包括形成覆盖衬底区域的垫氧化物层。此外，该方法包括形成覆盖垫氧化物层的蚀刻停止层。该方法还包括图案化蚀刻停止层和垫氧化物层以暴露部分衬底区域。此外，该方法包括在衬底区域的暴露部分内形成沟槽，该沟槽具有侧壁、底部和第一深度。该方法还包括形成覆盖沟槽侧壁、沟槽底部和相邻于沟槽的台面区域的电介质层。该方法还包括从沟槽底部去除电介质层的第一部分以暴露衬底区域，使得在沟槽侧壁上保留电介质层的第二部分。此外，该方法包括蚀刻衬底区域以将至少部分沟槽的深度增加到第二深度。该方法也包括将电介质层的第二部分从沟槽去除。 | ||
| 搜索关键词： | 改进 沟槽 隔离 间隙 填充 工艺 方法 | ||
【主权项】：
1.一种形成用于浅沟槽隔离区域的分级沟槽的方法，包括：提供具有衬底区域的半导体衬底；形成覆盖衬底区域的垫氧化物层；形成覆盖垫氧化物层的蚀刻停止层；图案化蚀刻停止层和垫氧化物层以暴露部分衬底区域；在衬底区域的暴露部分内形成沟槽，该沟槽具有侧壁、底部和第一深度；形成覆盖沟槽侧壁、沟槽底部和相邻于沟槽的台面区域的电介质层；从沟槽底部去除电介质层的第一部分以暴露衬底区域，而在沟槽侧壁上保留电介质层的第二部分；蚀刻衬底区域以将至少部分沟槽的深度增加到第二深度；以及将电介质层的第二部分从沟槽去除。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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