[发明专利]一种MIM电容材料刻蚀方法无效
| 申请号： | 200610025838.1 | 申请日： | 2006-04-19 |
| 公开（公告）号： | CN101059657A | 公开（公告）日： | 2007-10-24 |
| 发明（设计）人： | 刘鹏;郑莲晃;韩秋华;吴湘惠;陈寰;朱旋 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;H01L21/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 逯长明 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种可使上电极表面无冠状缺陷的MIM电容材料刻蚀方法。该方法的实施步骤为：形成MIM结构；为将上电极材料刻蚀成所需图形，需在上电极材料上再淀积一薄层硬掩膜；在硬掩膜上涂覆光刻胶，采用相应刻蚀技术，在硬掩膜上刻蚀出图形；去除硬掩膜表面残留光刻胶；利用硬掩膜上刻蚀出的图形，采用相应刻蚀技术，将上电极材料刻蚀成所需图形，得到所需产品。采用本发明所述的方法，可使上电极表面不再有冠状缺陷，提高了产品的良品率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mim 电容 材料 刻蚀 方法 | ||
【主权项】：
1、一种MIM电容材料刻蚀方法，其特征在于：a.在晶片上依次形成第一金属层、电介质层和第二金属层；b.在所述第二金属层上淀积一掩膜层；c.涂覆光致抗蚀剂并图案化所述掩膜层；d.移除所述光致抗蚀剂；e.利用所述掩膜层刻蚀所述第二金属层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，未经中芯国际集成电路制造（上海）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200610025838.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：镍基超合金的焊接方法
- 下一篇：追踪方法及设备
