[发明专利]硅太阳电池无效
| 申请号： | 200610025566.5 | 申请日： | 2006-04-10 |
| 公开（公告）号： | CN101055900A | 公开（公告）日： | 2007-10-17 |
| 发明（设计）人： | 李涛勇;袁晓 | 申请（专利权）人： | 上海太阳能科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/042 | 分类号： | H01L31/042 |
| 代理公司： | 上海航天局专利中心 | 代理人： | 金家山 |
| 地址： | 201108上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种硅太阳电池的结构，包括电池背电极、半导体硅衬底层和费米能级不同于半导体硅衬底层的半导体薄膜层，在半导体硅衬底层的材料受光面的表面制备有具有准一维纳米晶体结构，这层纳米晶体结构的孔隙被半导体薄膜层填充，两者形成具有分离光生载流子作用的异质结。由于在结构上利用了纳米结构的表面效应、体积效应和量子尺寸效应，可以使用较低纯度的硅材料制造硅太阳电池，并获得满意的光电转换效率。 | ||
| 搜索关键词： | 太阳电池 | ||
【主权项】：
1、一种硅太阳电池，包括电池背电极、半导体硅衬底层和费米能级不同于半导体硅衬底层的半导体薄膜层，其特征在于：所述半导体硅衬底层的材料受光面的表面制备有具有准一维纳米晶体结构，所述的半导体薄膜层填充于该纳米晶体结构的孔隙，并与之形成具有分离光生载流子作用的异质结层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
