[发明专利]硅太阳电池

权利要求书

1、一种硅太阳电池，包括电池背电极、半导体硅衬底层和费米能级不同于半导体硅衬底层的半导体薄膜层，其特征在于：所述半导体硅衬底层的材料受光面的表面制备有具有准一维纳米晶体结构，所述的半导体薄膜层填充于该纳米晶体结构的孔隙，并与之形成具有分离光生载流子作用的异质结层。

2、根据权利要求书1所述的硅太阳电池，其特征在于，所述的异质结层的厚度在100纳米到3微米之间。

3、根据权利要求书1所述的硅太阳电池，其特征在于，所述半导体硅衬底层表面的准一维纳米晶体结构是指附着在半导体硅衬底层表面的在二维方向上为纳米尺度，在近似垂直于光照面的方向为微米尺度的表面微结构。

4、根据权利要求书1所述的硅太阳电池，其特征在于，所述的准一维纳米晶体结构是通过化学腐蚀或电化学腐蚀方法在硅晶体表面制备的纳米结构多孔硅，多孔硅的“准孔径”和“准孔壁”的尺寸在2纳米到200纳米之间。

5、根据权利要求书1或4所述的硅太阳电池，其特征在于，所述的纳米结构的多孔硅表面可以经卤族元素或氢元素钝化，也可以使用氧化硅钝化，钝化厚度为10^-9m数量级。

6、根据权利要求书1所述的硅太阳电池，其特征在于，所述的半导体薄膜层的厚度在30纳米到500纳米之间。

7、根据权利要求书1或6所述的硅太阳电池，其特征在于，所述的半导体薄膜层可以用透明导体薄膜层替代。

8、根据权利要求书1所述的硅太阳电池，其特征在于，所述的半导体硅衬底层的厚度在1微米到500微米之间。

9、根据权利要求书1或8所述的硅太阳电池，其特征在于，所述的半导体硅衬底层的导电类型可以是N型或P型；相应地，所述的费米能级不同于半导体硅衬底层的半导体薄膜层的导电类型可以是P型或N型。