[发明专利]非挥发性存储器单元无效
| 申请号： | 200610024110.7 | 申请日： | 2006-02-23 |
| 公开（公告）号： | CN1825487A | 公开（公告）日： | 2006-08-30 |
| 发明（设计）人： | 闫娜;王俊宇;闵昊 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | G11C16/06 | 分类号： | G11C16/06;G11C16/26;G11C16/28 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 | 代理人： | 陆飞;盛志范 |
| 地址： | 20043*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明属集成电路设计技术领域，具体为一种标准CMOS工艺实现的非挥发性存储器单元电路。存储器单元电路由隧穿晶体管、控制晶体管和读出晶体管构成，其中，隧穿晶体管、控制晶体管均连接成MOS电容的形式，两管的栅极相连形成浮栅，电路通过在隧穿晶体管电容两端产生高压发生双向Fowler－Nordheim隧穿效应，从而实现电荷的注入和擦除，然后通过读出浮栅控制的读出晶体管的电流得到存储器单元存储的数据。 | ||
| 搜索关键词： | 挥发性 存储器 单元 | ||
【主权项】：
1、一种非挥发存储器单元电路，其特征在于由隧穿晶体管Mt、控制晶体管Mc和读出晶体管M1构成，其中，隧穿晶体管Mt、控制晶体管Mc均连接成MOS电容的形式，两管的栅极相连形成浮栅FC。
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