[发明专利]一种采用共溅射沉积法制备碲化铋合金薄膜的方法

摘要

一种采用共溅射沉积法制备碲化铋合金薄膜的方法，在磁控溅射仪上实施，将高纯碲片用导电胶粘贴于高纯铋标准靶上，以此复合靶作为溅射靶材进行共同溅射；以单晶硅片作为薄膜衬底；其工艺参数为：本底真空度高于1.0×10^－3Pa、工作氩气压力0.2－3Pa、靶基距4－10cm、基片台旋转每分钟5－15圈、薄膜衬底温度100－300℃、溅射电源功率20－100W、退火温度200－300℃。本发明的优点是：通过改变标准靶材上贴片靶的大小和数量，可很容易地调整沉积薄膜的成分；尤其对于溅射化合物靶沉积的薄膜成分有较大差别，以及探索最佳成分掺杂量来说，该方法简单、可操作性强、产品质量可靠、重现性好。

主权项

1.一种采用共溅射沉积法制备碲化铋合金薄膜的方法，在磁控溅射仪上实施，其特征在于：将高纯碲片作贴片靶，用导电胶粘贴于高纯铋标准靶上，以此复合靶作为溅射靶材进行共同溅射；高纯碲片为园形，直径为标准靶材半径的30-50％，数量3-6片，均布于标准靶上；以单晶硅片作为薄膜衬底，置于溅射靶台对面；其工艺参数为：本底真空度高于1.0×10-3Pa、工作氩气压力0.2-3Pa、靶基距4-10cm、基片台旋转每分钟5-15圈、薄膜衬底温度100-300℃、溅射电源功率20-100W、退火温度200-300℃、退火时间0.5-2小时。