[发明专利]微电子专用螯合剂的使用方法有效
| 申请号： | 200610014908.3 | 申请日： | 2006-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN1889237A | 公开（公告）日： | 2007-01-03 |
| 发明（设计）人： | 刘玉岭;李广福;张西慧 | 申请（专利权）人： | 河北工业大学 |
| 主分类号： | H01L21/302 | 分类号： | H01L21/302;H01L21/304;H01L21/306;C07D487/22 |
| 代理公司： | 天津市三利专利商标代理有限公司 | 代理人： | 肖莉丽 |
| 地址： | 30013*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明一种微电子专用螯合剂的使用方法，旨在提供一种能够有效去除金属离子，满足对基材表面金属离子的要求的微电子专用螯合剂的使用方法。在常用抛光液中按体积百分比加入0.1－3％的微电子专用螯合剂二乙二胺四乙酸四羟基乙基乙二胺盐，如果抛光液为碱性，则进行抛光；如果抛光液为酸性，则在上述抛光液中加入1－5％的双氧水，之后进行抛光；将上述抛光片放入清洗槽中，在清洗剂中按体积百分比加入0.1－3％的微电子专用螯合剂二乙二胺四乙酸四羟基乙基乙二胺盐，以及按体积百分比加入1－5％的双氧水，之后进行清洗。通过本发明的方法可以将存在于晶片表面的金属原子氧化成金属离子，与螯合剂充分螯合，从而达到去除的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 微电子 专用 螯合剂 使用方法 | ||
【主权项】：
1、一种微电子专用螯合剂的使用方法，其特征在于，包括下述步骤：(1)将磨片放入抛光机中，在常用抛光液中按体积百分比加入0.1-3％的微电子专用螯合剂二乙二胺四乙酸四羟基乙基乙二胺盐，如果抛光液为碱性，则按照常规的抛光方法进行抛光；如果抛光液为酸性，则在上述含有螯合剂的抛光液中加入1-5％的双氧水或与双氧水氧化作用相等的氧化剂，之后按照常规的抛光方法进行抛光，得到洁净的抛光片；(2)将上述抛光片放入清洗槽中，在清洗剂中按体积百分比加入0.1-3％的微电子专用螯合剂二乙二胺四乙酸四羟基乙基乙二胺盐，以及按体积百分比加入1-5％的双氧水或与双氧水氧化作用相等的氧化剂，之后按照常规的清洗方法进行清洗，得到洁净的晶片。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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