[发明专利]一种功率MOSFET驱动电路

摘要

本发明涉及驱动电路技术领域，一种功率MOSFET驱动电路。包括迟滞比较器、开关驱动级、过流保护电路模块，迟滞比较器将外部控制信号与参考电平比较，判决得到开关驱动的控制信号，开关驱动级电路的对功率MOSFET作驱动输出，功率MOSFET导通时的漏端电压引入过流保护电路输入端，与基准比较，实现过电流保护，输入信号Vin通过迟滞比较器与基准电压Vref比较，判决得到逻辑控制信号Vol，Vol与过流信号Vx一起控制开关功率级，实现过电流保护，Vx为低电平时，开关功率级输出电平逻辑与Vol信号相同。本发明适于在集成开关电源及其控制电路等集成电路内使用。

主权项

1、一种功率MOSFET驱动电路，其特征在于：通过控制延时避免输出驱动级同时导通，电路中利用功率MOSFET导通时的漏端电压实现过电流保护，包括迟滞比较器、开关驱动级、过流保护电路模块，迟滞比较器将外部控制信号与参考电平比较，判决得到开关驱动的控制信号，开关驱动级电路的对功率MOSFET作驱动输出，功率MOSFET导通时的漏端电压引入过流保护电路输入端，与基准比较，实现过电流保护，输入信号Vin通过迟滞比较器与基准电压Vref比较，判决得到逻辑控制信号Vo1，Vo1与过流信号Vx一起控制开关功率级，Vx为高电平时，开关功率级输出为低电平，功率MOSFET关断，实现过电流保护，Vx为低电平时，开关功率级输出电平逻辑与Vo1信号相同。