[发明专利]具有不同电压承受力的半导体元件的制造工艺

摘要

一种制造具有不同电压承受力元件的方法，包含：在P型衬底中，在高压元件区域中形成至少一个高压阱；在低压元件区域中形成至少一个N型阱；在低压元件区域中形成至少一个P型阱；在高压元件区域中形成源极/漏极阱和在隔离区域中形成隔离阱。并经由调整离子掺杂分布来调整击穿电压。此外，调整注入导电离子的参数以用于将导电离子注入高压元件区域和低压元件区域两者中。形成于元件之间的隔离区域中的所述隔离阱用于将形成于高压元件区域上的元件与形成于低压元件区域上的元件相分离。高压栅极氧化层的厚度厚于低压栅极氧化层的厚度以用于调整高压元件和低压元件的阈值电压。

主权项

1.一种制造具有不同电压承受力元件的工艺，包含以下步骤：提供衬底，例如P型衬底，其中低压元件区域、高压元件区域和隔离区域可形成于其中；在所述衬底中形成至少一高压阱；在所述低压元件区域中形成至少一N型阱，在所述低压元件区域中形成至少一P型阱，在所述高压元件区域中形成源极/漏极阱且在所述隔离区域中形成隔离阱；在所述衬底上形成图样氮化层；在所述隔离区域上形成场氧化层；在所述高压元件区域上形成高压栅极氧化层；在所述低压元件区域和所述高压元件区域上方形成低压栅极氧化层；在所述高压元件区域和所述低压元件区域上形成多晶硅层；和在所述高压元件区域和所述低压元件区域中形成P+型源漏极区域与N+ 型源漏级区域。