[发明专利]电荷捕获型三电平非易失性半导体存储器器件及驱动方法有效
| 申请号： | 200610008628.1 | 申请日： | 2006-02-20 |
| 公开（公告）号： | CN1909111A | 公开（公告）日： | 2007-02-07 |
| 发明（设计）人： | 朴起台;崔正达 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C16/00 | 分类号： | G11C16/00;G11C16/06;G11C16/10 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 黄小临;王志森 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 此处，公开了一种电荷捕获型三电平非易失性半导体存储器器件及其驱动方法。该电荷捕获型三电平非易失性半导体存储器器件包括：存储器阵列，所述存储器阵列包括多个存储器元件，每一存储器元件能够依据电流的方向把数据存储在至少两个电荷捕获区中；以及页缓冲器，驱动其而把3个数据位映射至两个电荷捕获区的阈值电压组。该电荷捕获型非易失性存储器器件具有电荷捕获区，每个电荷捕获区存储1.5个数据位。即，单个的存储器元件具有用于存储3个数据位的电荷捕获区，从而改善了器件的集成度，同时维持了在编程和读取操作期间的较高的操作速度。 | ||
| 搜索关键词： | 电荷 捕获 电平 非易失性 半导体 存储器 器件 驱动 方法 | ||
【主权项】：
1.一种非易失性半导体存储器器件，包括：存储器阵列，包括多个存储器元件，每一存储器元件能够依据电流的方向把数据存储在至少两个电荷捕获区中；页缓冲器，驱动其而把3个数据位映射至两个电荷捕获区的阈值电压组；以及行译码器，用于控制存储器阵列的所选择的存储器元件的字线。
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