[发明专利]掩膜及其制造方法及其应用有效

专利信息
申请号: 200610007373.7 申请日: 2006-02-13
公开(公告)号: CN1808267A 公开(公告)日: 2006-07-26
发明(设计)人: 董畯豪 申请(专利权)人: 广辉电子股份有限公司
主分类号: G03F1/00 分类号: G03F1/00;G03F7/20;G02F1/1333
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 代理人: 任默闻
地址: 台湾省*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 一种掩膜及其制造方法及其应用,其具有一透明基板、一半穿透层以及一膜层。其中,透明基板中至少包括一第一区、一第二区以及一第三区;半穿透层覆盖于透明基板的第二区及第三区,且暴露出第一区;而膜层覆盖位于第三区的半穿透层上,以使第三区的透光率低于第二区的透光率。上述的半穿透层与膜层可由相位偏移薄膜制作而成,以形成相位偏移掩膜。此外,本发明也提出多种掩膜的制作方法,以形成具有上述结构的掩膜。本发明的掩膜制作方法是采用剥离工艺,以简化相位偏移掩膜的工艺,并且可避免已知技术中因刻蚀不均而造成相位偏移薄膜厚度不均匀的情形。
搜索关键词: 及其 制造 方法 应用
【主权项】:
1.一种掩膜,其特征在于包括:一透明基板,至少包括一第一区、一第二区以及一第三区;一半穿透层,覆盖所述透明基板的第二区及第三区,且暴露出第一区;以及一膜层,覆盖位于第三区的半穿透层上,以使第三区的透光率低于第二区的透光率。
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