[发明专利]利用保护性通路盖层形成半导体器件的双镶嵌布线的方法

摘要

本发明的示例性实施例总体上包括利用双镶嵌方法形成多层金属互连结构的方法，该双镶嵌方法包含了通路覆盖工艺从而保护下部互连线免受由于下部互连线无意中暴露于蚀刻气氛所造成的例如蚀刻损坏或氧化的影响。

主权项

1.一种形成互连结构的方法，包括以下步骤：在其上形成有下部导电层的半导体衬底上形成蚀刻停止层；在所述蚀刻停止层上形成层间电介质层；通过所述层间电介质层形成通孔，以暴露所述蚀刻停止层的一部分，所述通孔与所述下部导电层的一部分对准；去除所述蚀刻停止层的暴露部分从而暴露所述下部导电层的一部分；在所述下部导电层的暴露部分上形成通路盖层；沉积牺牲材料层从而用牺牲材料填充所述通孔；通过蚀刻所述牺牲材料层和所述层间电介质层形成与所述通孔对准的沟槽；去除在所述通孔中剩余的牺牲材料从而暴露所述通路盖层；以及通过用导电材料填充所述沟槽和通孔而形成互连。