[发明专利]半导体器件及其制造方法、以及电子设备有效
| 申请号： | 200610006407.0 | 申请日： | 2006-01-20 |
| 公开（公告）号： | CN1819268A | 公开（公告）日： | 2006-08-16 |
| 发明（设计）人： | 桑原秀明;山本裕子 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L23/522;H01L21/28;H01L21/336;H01L21/768 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 张浩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的目的是简化在形成多层布线过程中处理布线所需的步骤。此外，当使用微滴排放法或纳米印刷法在具有相当长直径的接触孔中形成布线时，按照接触孔的形状形成布线，并且接触孔的布线部分相对于其它部分可能具有凹陷。通过使用具有高强度和高重复频频率的激光照射透光绝缘膜来形成穿透开口。提供具有微小接触区域的多个开口，而不是形成一个具有大的接触区域的开口，以便通过减少局部凹陷而具有均匀厚度的布线，并且也确保接触电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 以及 电子设备 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：在衬底上的第一导电层；在所述第一导电层上的绝缘膜；和在所述绝缘膜上的第二导电层；其中所述绝缘膜具有到达所述第一导电层的多个开口；其中所述第一导电层通过所述多个开口连接到所述第二导电层；以及其中所述第二导电层的表面是齐平的。
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