[发明专利]自－对准的接触方法无效
| 申请号： | 200610005803.1 | 申请日： | 2006-01-10 |
| 公开（公告）号： | CN1825541A | 公开（公告）日： | 2006-08-30 |
| 发明（设计）人： | 尹世罗;裵根熙;洪昌基;朴正宪;李在东;郑明浩;具珠善;朴俊相;金荣玉 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/768 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 林宇清;谢丽娜 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 在一个方面，提供一种自－对准的接触方法，其中衬底具有在衬底表面上隔开的多个结构，以及在该多个结构上和该多个结构之间淀积牺牲膜，牺牲膜的材料具有给定的承受温度。牺牲膜被构图，以露出邻近多个结构的衬底部分。在牺牲膜和衬底的露出部分上淀积绝缘层，绝缘层的淀积包括在低于牺牲膜材料的承受温度的温度下的热处理。绝缘层被平整，以露出牺牲膜，和牺牲膜被除去，以露出多个结构之间的各个区域。多个结构之间的各个区域用导电材料填充。 | ||
| 搜索关键词： | 对准 接触 方法 | ||
【主权项】：
1.一种自-对准的接触方法，包括：提供在衬底的表面上具有多个隔开的结构的衬底；在该多个结构上和该多个结构之间淀积牺牲膜，其中牺牲膜的材料具有给定的承受温度；构图牺牲膜，以露出邻近多个结构的部分衬底；在牺牲膜和衬底的露出部分上淀积绝缘层，其中绝缘层的淀积包括在低于牺牲膜材料的承受温度的温度下的热处理；平整绝缘层，以露出牺牲膜；除去牺牲膜，以露出多个结构之间的各个区域；以及用导电材料填充多个结构之间的各个区域。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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