[发明专利]制作半导体器件的方法有效
| 申请号： | 200610005789.5 | 申请日： | 2006-01-06 |
| 公开（公告）号： | CN1819153A | 公开（公告）日： | 2006-08-16 |
| 发明（设计）人： | 齐野敢太 | 申请（专利权）人： | 尔必达存储器股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238;H01L21/335;H01L21/28 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 陈瑞丰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 在半导体衬底的第一区域和第二区域上分别形成硅膜；将P型杂质选择地离子注入到第一区域中的硅膜内；实行第一次退火，以激活注入在硅膜内的P型杂质；在第一次退火之后，将N型杂质选择地离子注入到第二区域中的硅膜内；在离子注入N型杂质之后，在所述硅膜上按CVD方法形成硅化物膜；实行第二次退火，从而排出硅化物膜内所含的气体并激活N型杂质；在硅化物膜上依序形成阻挡层及金属膜；以及绘制金属膜、阻挡金属层、硅化物膜和硅膜图样，从而在第一区域中形成P型多金属栅电极和在第二区域中形成N型多金属栅电极。 | ||
| 搜索关键词： | 制作 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制作半导体器件的方法，它包括：第一步，分别在半导体衬底的第一区域和第二区域上形成硅膜；第二步，将P型杂质选择地离子注入到第一区域中的硅膜内；第三步，实行第一次退火，从而激活注入在硅膜内的P型杂质；第四步，在第三步之后，将N型杂质选择地离子注入到第二区域中的硅膜内；第五步，在第四步之后，在所述硅膜上按CVD方法形成硅化物膜；第六步，实行第二次退火，从而排出硅化物膜内所含的气体并激活N型杂质；第七步，在所述硅化物膜上依序形成阻挡金属层及金属膜；以及第八步，绘制金属膜、阻挡金属层、硅化物膜和硅膜图样，从而在第一区域中形成P型多金属栅电极以及在第二区域中形成N型多金属栅电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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