[发明专利]成膜装置

摘要

提供一种成膜装置，在加热状态的处理基板(5)的表面上，使多种的原料气体发生反应而进行成膜，其中所述处理室(1)被分为加热室(1a)与反应室(1b)，在与露出在反应室(1b)的处理基板(5)相对的地方，在与反应室(1b)相连的状态下设置原料气体的排气管(7)，对所述处理基板(5)的表面，在分别独立的状态下提供各原料气体的供给口(11、12)，被配置成位于排气管(7)的外侧。由此在处理基板(5)的附近使原料气体发生反应，在处理基板(5)上形成良好的结晶成膜。本发明的成膜装置可以防止原料气体到达处理基板之前发生反应，使来自处理基板的辐射热的影响最小化，而且可以使反应室的气体的动作更有益于结晶成膜。

主权项

1.一种成膜装置，在配置于处理室中的处于加热状态的处理基板的表面上，使至少由第一原料气体与第二原料气体构成的多种的原料气体发生反应来进行成膜，其特征在于，所述处理室至少通过处理基板而被分为加热室与反应室，在与露出于所述反应室的处理基板相对的地方，在与反应室相连的状态下设置原料气体的排气管，配置第一原料气体与第二原料气体的各供给口，使得其位于所述排气管的外侧，所述各供给口对所述处理基板的表面，在分别独立的状态下提供第一原料气体与第二原料气体。