[发明专利]氮化物半导体器件无效
| 申请号： | 200610002963.0 | 申请日： | 2006-01-26 |
| 公开（公告）号： | CN1845347A | 公开（公告）日： | 2006-10-11 |
| 发明（设计）人： | 李奎翰;金制远;金东俊 | 申请（专利权）人： | 三星电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 李伟 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明涉及一种具有电子发射结构的氮化物半导体器件。在该器件中，n型氮化物半导体层形成在衬底上，以及有源层形成在n型氮化物半导体层上。而且p型氮化物半导体层形成在有源层上。有源层形成在p型氮化物半导体层和n型氮化物半导体层之间，并包括量子阱层和量子势垒层。此外，在n型氮化物半导体层和有源层之间形成有电子发射层。电子发射层包括：氮化物半导体量子点层，形成在n型氮化物半导体层上，并具有表示为AlxInyGa (1－x－y) N的组成，其中0≤x≤1，且0≤y≤1；以及谐振隧道层，形成在氮化物半导体量子点层上，并具有比相邻的量子点层的带隙大的带隙。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种氮化物半导体器件，包括：n型氮化物半导体层；p型氮化物半导体层；有源层，形成在所述p型氮化物半导体层和所述n型氮化物半导体层之间，并具有量子阱层和量子势垒层；以及电子发射层，形成在所述n型氮化物半导体层和所述有源层之间；其中，所述电子发射层包括：氮化物半导体量子点层，形成在所述n型氮化物半导体层上，并具有表示为AlxInyGa(1-x-y)N的组成，其中0≤x≤1，且0≤y≤1；以及谐振隧道层，形成在所述氮化物半导体量子点层上，并具有比所述量子阱层的带隙大的带隙。
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