[发明专利]单层碳纳米管及其制备方法、以及电子元件的制备方法无效
| 申请号： | 200610002907.7 | 申请日： | 2006-01-27 |
| 公开（公告）号： | CN101007631A | 公开（公告）日： | 2007-08-01 |
| 发明（设计）人： | 王钰;付磊;刘云圻;梶浦尚志 | 申请（专利权）人： | 索尼株式会社 |
| 主分类号： | C01B31/02 | 分类号： | C01B31/02 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所 | 代理人： | 刘新宇 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供一种单层碳纳米管的制备方法，该方法是一种可以很容易地制备出结构可控的高品质单层碳纳米管，并且可以制备直径极其小的单层碳纳米管、且直径分布范围可控的单层碳纳米管的方法。使用通过气化乙醇等的醇或醇的水溶液而得到的气体作为反应气体，利用化学气相沉积法，在常压下使单层碳纳米管生长。通过将在化学气相沉积装置的反应部位的外部利用自然蒸发等来气化醇或醇的水溶液而得到的气体导入该反应部位来进行反应。醇的水溶液中醇浓度范围为50％～95％。还提供一种通过该方法制备的单层碳纳米管以及利用该单层碳纳米管制备电子元件的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 单层 纳米 及其 制备 方法 以及 电子元件 | ||
【主权项】：
1.一种单层碳纳米管的制备方法，其特征在于，使用通过气化醇或醇的水溶液而得到的气体作为反应气体，利用化学气相沉积法，在常压下使单层碳纳米管生长。
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