[发明专利]预估具高介电栅极介电层的金绝半场效晶体管寿命的方法有效
| 申请号： | 200610000641.2 | 申请日： | 2006-01-10 |
| 公开（公告）号： | CN1811478A | 公开（公告）日： | 2006-08-02 |
| 发明（设计）人： | 蔡庆威;王志豪;季明华 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26;H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所 | 代理人： | 刘新宇 |
| 地址： | 台湾省新竹科学*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种预估具高介电栅极介电层的金绝半场效晶体管寿命的方法。上述预估方法包括施加一偏压于一金属－绝缘－半导体场效晶体管元件的栅极上。维持一金属－绝缘－半导体场效晶体管元件的漏极电压等于或小于该偏压。由偏压导致金属－绝缘－半导体场效晶体管电性参数提前偏移所需的累积时间，量测元件的寿命。推导出该偏压与该元件的寿命之间的一函数关系。并将金属－绝缘－半导体场效晶体管的操作电压代入该函数关系，由此外插估算出金属－绝缘－半导体场效晶体管元件于操作电压的运作寿命。本发明提供了能精确地估算出具有高介电常数栅极介电层的金属－绝缘－半导体场效晶体管元件的运作寿命的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 预估 具高介电 栅极 介电层 半场 晶体管 寿命 方法 | ||
【主权项】：
1.一种预估具有高介电常数栅极介电层的金属-绝缘-半导体场效晶体管元件的运作寿命的方法，其特征在于，该预估具有高介电常数栅极介电层的金属-绝缘-半导体场效晶体管元件的运作寿命的方法包括：施加一偏压于一金属-绝缘-半导体场效晶体管元件的栅极上；维持一金属-绝缘-半导体场效晶体管元件的漏极电压等于或小于该偏压；由该偏压导致金属-绝缘-半导体场效晶体管电性参数提前偏移所需的累积时间，量测元件的寿命；推导出该偏压与该元件的寿命之间的一函数关系；将金属-绝缘-半导体场效晶体管的操作电压代入该函数关系，由此外插估算出金属-绝缘-半导体场效晶体管元件于操作电压的运作寿命。
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