[发明专利]一种半导体器件

摘要

以阵列形式布置构成非易失性存储器的多个半导体非易失性存储器单元。将用于存储器单元选择的选择MISFET电连接到每一位。每个非易失性存储器单元具有用于写入数据的MISFET、用于读出数据的MISFET和电容部分。MISFET的栅电极和电容部分的电容电极由同一浮置栅电极的一部分构成。非易失性存储器单元的控制栅电极由电容电极相对的n阱的一部分形成。

主权项

1.一种半导体器件，包括：半导体衬底，具有第一主表面和设置在其背表面侧上的第二主表面；主电路形成区域，布置在所述半导体衬底的所述第一主表面中；和非易失性存储区域，布置在所述半导体衬底的所述第一主表面中，其中，所述非易失性存储区域包括：第一阱，形成在所述半导体衬底的主表面中；第二阱，沿着所述第一阱布置在所述半导体衬底的所述主表面中并以与所述第一阱电绝缘的状态布置；多个非易失性存储器单元，以阵列形式布置，使得基于平面地叠置在所述第一阱和所述第二阱上方；和多个选择场效应晶体管，分别电连接到所述多个非易失性存储器单元，使得能够选择所述多个非易失性存储器单元，其中，所述多个非易失性存储器单元中的每一个非易失性存储器单元包括：浮置栅电极，以第一方向延伸地布置，使得基于平面地叠置在所述第一阱和所述第二阱上方；用于写入数据的场效应晶体管，形成在第一位置，其中所述浮置栅电极基于平面地叠置在所述第一阱上方；用于读出数据的场效应晶体管，形成在与所述第一位置不同的第二位置，其中所述浮置栅电极基于平面地叠置在所述第一阱上方；和控制栅电极，形成在所述第二阱中所述浮置栅电极相对的部分中；其中，用于写入数据的所述场效应晶体管包括：第一栅电极，形成在相对于所述浮置栅电极的所述第一位置；第一栅绝缘膜，形成在所述第一栅电极和所述半导体衬底之间；和一对半导体区域，形成在所述第一阱中所述半导体区域将所述第一栅电极夹在其间的位置，以及其中，用于读出数据的所述场效应晶体管包括：第二栅电极，形成在相对于所述浮置栅电极的所述第二位置；第二栅绝缘膜，形成在所述第二栅电极和所述半导体衬底之间；和一对半导体区域，形成在所述第一阱中所述半导体区域将所述第二栅电极夹在其间的位置。