[发明专利]用于处理介电材料的设备和方法有效
| 申请号： | 200580050233.1 | 申请日： | 2005-06-22 |
| 公开（公告）号： | CN101208770A | 公开（公告）日： | 2008-06-25 |
| 发明（设计）人： | C·瓦德弗里德;C·加默;O·埃斯科尔西亚;I·贝里;P·萨克蒂韦尔 | 申请（专利权）人： | 艾克塞利斯技术公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 温大鹏;刘华联 |
| 地址： | 美国马*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种用于处理介电材料诸如低k值介电材料、电容材料、阻挡层及类似物的设备和方法，总体上包括辐射源模组、耦连到辐射源模组的处理腔、和与该处理腔及晶片装卸器成操作性相通的传送腔模组。可以根据不同类型的介电材料的需要，控制每个模组的气氛环境。该辐射源模组包括反射器、紫外线辐射源、和能透射约150纳米到约300纳米波长的板，以限定密封内部区域，其中该密封内部区域与第一流体源成流体相通。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 处理 材料 设备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于处理介电材料的设备，该设备包括：辐射源模组，包括反射器、紫外线辐射源、和能透射约150纳米到约300纳米波长的板，以限定密封内部区域，其中该密封内部区域与第一流体源成流体相通；处理腔模组，耦连到辐射源模组以限定与紫外线辐射源成操作性相通的密封腔，该处理腔包括适于容纳衬底的可关闭开口、适于支承该衬底的支承件、和与第二流体源成流体相通的气体入口；和传送腔模组，与该处理腔和晶片装卸器成操作性相通；该传送腔包括与第三流体源成流体相通的气锁腔和夹具。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
