[发明专利]用于处理介电材料的设备和方法有效
申请号: | 200580050233.1 | 申请日: | 2005-06-22 |
公开(公告)号: | CN101208770A | 公开(公告)日: | 2008-06-25 |
发明(设计)人: | C·瓦德弗里德;C·加默;O·埃斯科尔西亚;I·贝里;P·萨克蒂韦尔 | 申请(专利权)人: | 艾克塞利斯技术公司 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 温大鹏;刘华联 |
地址: | 美国马*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 处理 材料 设备 方法 | ||
1.一种用于处理介电材料的设备,该设备包括:
辐射源模组,包括反射器、紫外线辐射源、和能透射约150纳米到约300纳米波长的板,以限定密封内部区域,其中该密封内部区域与第一流体源成流体相通;
处理腔模组,耦连到辐射源模组以限定与紫外线辐射源成操作性相通的密封腔,该处理腔包括适于容纳衬底的可关闭开口、适于支承该衬底的支承件、和与第二流体源成流体相通的气体入口;和
传送腔模组,与该处理腔和晶片装卸器成操作性相通;该传送腔包括与第三流体源成流体相通的气锁腔和夹具。
2.如权利要求1所述的设备,其特征在于,进一步包括设置在辐射源与衬底之间的光学滤波器。
3.如权利要求2所述的设备,其特征在于,该光学滤波器是包括内部区域和外部区域的筛屏,内部区域具有第一网眼尺寸,外部区域绕内部区域呈圆周设置并具有第二网眼尺寸。
4.如权利要求3所述的设备,其特征在于,该内部区域与紫外线辐射源同轴地对齐。
5.如权利要求2所述的设备,其特征在于,该光学滤波器包括涂层、吸收性气体、吸收性固态材料或前述光学滤波器的组合。
6.如权利要求1所述的设备,其特征在于,该紫外线辐射源包括耦连到能量源的无电极灯泡。
7.如权利要求1所述的设备,其特征在于,该紫外线辐射源是具有选定的波长谱的宽带辐射源,该波长谱适于有区别地与介电材料的第一组化学键及官能团发生反应,而对于介电材料的第二组选定的化学键或官能团是透射性的。
8.如权利要求1所述的设备,其特征在于,紫外线辐射源包括介质阻挡放电装置、电弧放电装置、或电子碰撞发生器。
9.如权利要求1所述的设备,其特征在于,第一流体源包括非活性气体、紫外线吸收性气体或包括前述气体的至少一种的组合物;第二流体源包括非活性气体、反应性气体、紫外线吸收性气体、或包括前述气体的至少一种的组合物,第三流体源包括非活性气体。
10.如权利要求1所述的设备,其特征在于,进一步包括设置在反射器周围并且与冷却介质成流体相通的冷却套。
11.如权利要求1所述的设备,其特征在于,介电材料是低k值介电材料、电容材料、氧化物、氮化物、氮氧化物、阻挡层材料、蚀刻停止材料、覆盖层、高k值材料、浅槽隔离介电材料、或者包括前述介电材料的至少一种的组合物。
12.如权利要求1所述的设备,其特征在于,处理腔包括适于加热衬底的热源。
13.如权利要求1所述的设备,其特征在于,热源包括邻近热夹具组件,该邻近热夹具组件包括用于支承衬底的多个销、和弹簧安装的或嵌入式的热电偶,该热电偶用于测量衬底温度。
14.如权利要求1所述的设备,其特征在于,传送腔适于为从处理腔传送来的衬底提供非活性条件。
15.如权利要求1所述的设备,其特征在于,该反射器包括由铝金属、二向色性材料、或多层涂层形成的反射层。
16.如权利要求15所述的设备,其特征在于,该反射层可以进一步包括保护层,该保护层由氟化镁、二氧化硅、氧化铝、以及包括前述材料中的至少一种的组合物形成。
17.如权利要求1所述的设备,其特征在于,该紫外线辐射源适于发射包括大约150纳米到大约300纳米的波长的宽带辐射图。
18.如权利要求1所述的设备,其特征在于,处理腔进一步包括定位成测量紫外线宽带辐射的强度的原地辐射度探测器。
19.如权利要求1所述的设备,其特征在于,辐射源模组的密封内部区域与排气装置或真空装置成流体相通。
20.如权利要求1所述的设备,其特征在于,进一步包括耦连到处理腔的预热站。
21.如权利要求1所述的设备,其特征在于,该板包括筛屏,该筛屏嵌入到该板内且适于均匀地将紫外线宽带辐射传播进入处理腔。
22.如权利要求1所述的设备,其特征在于,进一步包括设置在该板和处理腔之间的筛屏。
23.如权利要求1所述的设备,其特征在于,处理腔进一步包括氧传感器。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造