[发明专利]一种用于时分复用(TDM)蚀刻工艺中的过程控制的方法和装置有效
申请号: | 200580050203.0 | 申请日: | 2005-06-30 |
公开(公告)号: | CN101228618A | 公开(公告)日: | 2008-07-23 |
发明(设计)人: | 鲁塞尔·韦斯特曼;迈克·泰克西拉;大卫·约翰逊;赖守亮 | 申请(专利权)人: | 奥立孔美国公司 |
主分类号: | H01L21/3065 | 分类号: | H01L21/3065;H01J37/32;G05D16/20 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 孙志湧;陆锦华 |
地址: | 美国佛*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本发明提供一种在时分复用工艺期间控制腔室内压力的方法。在所述时分复用蚀刻工艺的至少一个步骤内根据开环压力控制算法定位节流阀。评估该步骤的压力响应并且将其与期望的压力响应相比。然后,根据对期望压力响应的评估通过比例积分微分控制器对时分复用蚀刻工艺的逐一步骤定位节流阀。 | ||
搜索关键词: | 一种 用于 时分 tdm 蚀刻 工艺 中的 过程 控制 方法 装置 | ||
【主权项】:
1.一种在蚀刻工艺期间控制腔室内压力的方法,该方法包括:在该腔室内设置衬底;在该腔室内执行时分复用蚀刻工艺;在所述时分复用蚀刻工艺的至少一个步骤内根据开环压力控制算法定位节流阀;从所述时分复用蚀刻工艺的逐一步骤根据闭环压力控制算法定位所述节流阀;以及将所述衬底从该腔室中移出。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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