[发明专利]漏极延伸型PMOS晶体管及其制作方法无效
| 申请号： | 200580047639.4 | 申请日： | 2005-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN101111942A | 公开（公告）日： | 2008-01-23 |
| 发明（设计）人： | 萨米尔·彭德哈卡 | 申请（专利权）人： | 德州仪器公司 |
| 主分类号： | H01L29/76 | 分类号： | H01L29/76 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 王允方;刘国伟 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供半导体器件(102)和漏极延伸型PMOS晶体管(CT1a)以及其制作方法，其中在n埋入层(108)与晶体管背栅极(126)之间形成p型隔离区(130)，以在不增加外延厚度的情况下增大击穿电压性能。 | ||
| 搜索关键词： | 延伸 pmos 晶体管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种漏极延伸型PMOS晶体管，其包括：栅极，其具有第一和第二横向侧，所述栅极覆盖半导体本体内的n型沟道区；p型源极，其形成于所述半导体本体内并具有第一和第二横向对置侧，所述源极的第一横向侧沿所述沟道区的第一横向侧定位，所述源极接近所述栅极的所述第一横向侧；p型漂移区，其在所述半导体本体内所述栅极的一部分的下方从所述沟道区的第二对置横向侧横向延伸到超出所述栅极的所述第二横向侧；p型漏极，其形成于所述漂移区内，所述漏极与所述栅极的所述第二横向侧间隔开；n型背栅极，其形成于所述半导体本体内，所述背栅极与所述源极的所述第二横向侧间隔开或邻近所述源极的所述第二横向侧；n埋入层，其形成于所述半导体本体内所述栅极和所述漏极的至少一部分下方；及p型隔离区，其在所述半导体本体内所述n埋入层与所述背栅极之间延伸。
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