[发明专利]交替相移光刻的三色调修整掩模无效
| 申请号： | 200580047551.2 | 申请日： | 2005-12-01 |
| 公开（公告）号： | CN101443702A | 公开（公告）日： | 2009-05-27 |
| 发明（设计）人： | T·J·阿托恩 | 申请（专利权）人： | 德克萨斯仪器股份有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/00 | 分类号： | G03F1/00;G03C5/00 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 赵蓉民 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种光刻修整掩模(10)包括透明区域(30)、衰减相移区域(32)和不透明区域(34)。所述透明区域基本透射所接收的光。所述衰减相移区域衰减并移动所接收光的相位。经相移的衰减光图案化晶片的粗线区域。所述不透明区域基本防止所接收的光对晶片的细线区域进行曝光。 | ||
| 搜索关键词： | 交替 相移 光刻 色调 修整 | ||
【主权项】：
1. 包含修整掩模的光刻设备，其包括：透明区域，其包括基本透明材料，并且其可用来基本透射所接收的光；衰减相移区域，其包括衰减相移材料，并且其可用来衰减所接收的光并移动所述所接收的光的相位；经相移的衰减光可用来图案化晶片的粗线区域；以及不透明区域，其包括不透明材料，并且其可用来基本防止所接收的光对所述晶片的细线区域进行曝光。
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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