[发明专利]具有包覆层的互连结构及其制造方法有效
| 申请号： | 200580046544.0 | 申请日： | 2005-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN101099235A | 公开（公告）日： | 2008-01-02 |
| 发明（设计）人： | L·A·克莱文格;T·J·达尔顿;L·C·苏;C·J·拉登斯;T·E·斯坦德尔特;K·K·H·黄;杨智超 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L21/4763 | 分类号： | H01L21/4763 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 于静;刘瑞东 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种制造互连的方法包括如下步骤：在介质材料中提供互连结构，凹进介质材料，以使互连结构的一部分在介质的上表面上延伸；以及在互连结构的延伸部分上沉积包覆层。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 覆层 互连 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造互连结构的方法，包括如下步骤：在介质材料中提供互连结构，凹进所述介质材料，以使所述互连结构的一部分在所述介质的上表面上延伸；以及在所述互连结构的所述延伸部分上沉积包覆层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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