[发明专利]作为高K SiO2栅极叠层上的热稳定P型金属碳化物的TiC有效
| 申请号： | 200580046522.4 | 申请日： | 2005-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN101443918A | 公开（公告）日： | 2009-05-27 |
| 发明（设计）人： | A·C·卡勒伽里;M·A·格里伯佑;D·L·拉赛;F·R·麦克菲力;K·L·森格尔;S·扎法尔 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L29/94 | 分类号： | H01L29/94;H01L29/76;H01L31/062;H01L31/113;H01L31/119 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 于 静;刘瑞东 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供了一种包括TiC的金属化合物及制造TiC金属化合物的方法，其中该金属化合物是功函数在约4.75与约5.3之间、优选约5eV的p型金属，其在包括高k介质和界面层的栅极叠层上热稳定。另外，本发明的TiC金属化合物在1000℃时是非常有效的氧扩散阻挡，并且在p型金属氧化物半导体(pMOS)器件中允许非常活跃的等效氧化物厚度(EOT)和反型层厚度范围在14以下。 | ||
| 搜索关键词： | 作为 sio sub 栅极 叠层上 稳定 金属 碳化物 tic | ||
【主权项】：
1. 一种半导体结构，包括：半导体衬底；所述半导体衬底上的界面层；所述界面层上的高k介质；以及所述高k介质上的TiC栅极金属。
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