[发明专利]多孔低K介电膜的紫外辅助孔密封无效
| 申请号： | 200580046506.5 | 申请日： | 2005-11-08 |
| 公开（公告）号： | CN101099232A | 公开（公告）日： | 2008-01-02 |
| 发明（设计）人： | C·沃尔弗里德;O·埃斯科尔恰;I·贝里 | 申请（专利权）人： | 艾克塞利斯技术公司 |
| 主分类号： | H01L21/316 | 分类号： | H01L21/316;H01L21/3105 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 刘锴;韦欣华 |
| 地址： | 美国马*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 用于密封多孔低k介电膜的方法，通常包括将多孔低k介电膜的表面暴露于紫外(UV)辐射，其强度、时间、波长和环境有效地通过碳化、氧化和/或膜致密，密封该多孔介电表面。该多孔低k介电材料的表面被密封到小于或等于约20纳米的深度，其中该表面在UV暴露之后基本不含孔。 | ||
| 搜索关键词： | 多孔 介电膜 紫外 辅助 密封 | ||
【主权项】：
1.一种用于密封位于基体之上的多孔低k介电材料的方法，包括：将多孔低k介电材料的表面暴露于紫外辐射图形，其时间、强度和波长将该多孔低k材料的表面有效密封到小于或等于约20纳米的深度，其中该表面基本不含开口孔。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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