[发明专利]导电表面的膜限制性选择电镀无效
| 申请号： | 200580040843.3 | 申请日： | 2005-11-11 |
| 公开（公告）号： | CN101065520A | 公开（公告）日： | 2007-10-31 |
| 发明（设计）人： | S·马祖尔 | 申请（专利权）人： | 纳幕尔杜邦公司 |
| 主分类号： | C25D7/12 | 分类号： | C25D7/12;H05K3/42;H01L21/288;H01L21/768 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 段晓玲;韦欣华 |
| 地址： | 美国特*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及在导电表面上的凹进形貌学特征上选择性电镀一层或多层金属层的方法和装置。本发明的方法和装置用于制造金属电路图，例如在集成电路元件之间产生铜互连，所述集成电路元件嵌入在半导体晶片表面上的绝缘材料薄层中。 | ||
| 搜索关键词： | 导电 表面 限制性 选择 电镀 | ||
【主权项】：
1、一种将金属电镀到导电表面上的方法，其中该导电表面包括平台和沟槽，该方法包括：(b)将导电表面与含有可镀金属离子的电镀液接触；(c)提供离子传导膜，该膜包括第一表面和相对的第二表面，其中该膜对于电镀液中的可镀金属离子是基本不可渗透的；(d)提供与阳极和所述膜的所述第一表面接触的阳极电解液组合物；(e)将膜的第二表面设置成密切接近导电表面或与之可感接触；和(f)在阳极和导电表面之间施加电压，以将电镀液中的至少部分金属离子电镀到导电表面上，从而在平台上和沟槽中形成金属层，其中沟槽中电镀金属的厚度大于平台上电镀的金属层厚度。
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