[发明专利]具有性能增强的边缘终端的集成高压功率器件

摘要

可以有效地防止当必须实现集成器件的主结(P_tub1，(P_tub2，...)的周界高压环扩展注入区(RHV)的中断时出现的不稳定性以及相关的缺点。通过非常简单的方法获得这个重要的结果：无论何时必须形成高压环扩展的中断(I)，不是实现为沿着周界注入区的普通垂直方向直穿过它，相反，窄中断限定为倾斜地穿过周界高压环扩展的宽度。在直中断的情况下，倾斜角α通常可以包括在30度和60度之间，并且更优选地是45度或者接近45度。无疑地，当实现周界高压环扩展区时，通过掩蔽窄中断以免掺杂剂注入来形成窄中断。

主权项

1.一种集成器件，包括至少一个功率晶体管，所述集成器件的扩散构成所述晶体管的主结和电流端，边缘终端，包括与所述主结扩散部分交迭并且沿着所述集成器件的至少一部分周界延伸的高压环扩展注入区，以及至少另一还与所述高压环扩展注入区部分交迭的与所述主结扩散类型相同的扩散，而且其中，必须在所述注入扩展区的掺杂剂浓度的较低掺杂剂浓度区上方中断所述周界高压环扩展注入区的连续性，其特征在于所述周界高压环扩展注入区的连续性的窄中断并不限定为与所述周界环扩展垂直，而是倾斜的，用于在击穿电压状态下保持包括所述高压环扩展在内的所述边缘终端的性能。